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STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z-1
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Teilenummer STD2HNK60Z-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 89662 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
$0.529$0.422$0.37$0.287$0.226

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Teilenummer STD2HNK60Z-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 89662 pcs Datenblatt STx2HNK60Z(x)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1A, 10V Verlustleistung (max) 45W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)

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