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STD26P3LLH6

STD26P3LLH6
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Teilenummer STD26P3LLH6
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 96277 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STD26P3LLH6 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 96277 pcs Datenblatt STD26P3LLH6
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V Verlustleistung (max) 40W (Tc)
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-13938-6 Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung P-Channel 30V 12A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

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