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STD12N65M2

STD12N65M2
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Teilenummer STD12N65M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 85995 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		2500 pcs
$0.266

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Teilenummer STD12N65M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 8A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 85995 pcs Datenblatt STD12N65M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 85W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-15458-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

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