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STD12N50DM2

STD12N50DM2
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Teilenummer STD12N50DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 67146 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		2500 pcs
$0.345

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Product parameter

Teilenummer STD12N50DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 67146 pcs Datenblatt STD12N50DM2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-16347-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 628pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)

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