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STB9NK80Z

STB9NK80Z
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Teilenummer STB9NK80Z
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 47780 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$0.662

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Teilenummer STB9NK80Z Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 47780 pcs Datenblatt STB9NK80Z
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-13936-2
STB9NK80Z-ND		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1138pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc)

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