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STB9NK60ZDT4

STB9NK60ZDT4
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Teilenummer STB9NK60ZDT4
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 30473 pcs
Referenzpreis
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$1.106

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Product parameter

Teilenummer STB9NK60ZDT4 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 30473 pcs Datenblatt STB9NK60ZD
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie SuperFREDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.5A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc)
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-4325-6 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 7A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)

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