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STB16NK65Z-S

STB16NK65Z-S
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Teilenummer STB16NK65Z-S
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 55177 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STB16NK65Z-S Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 55177 pcs Datenblatt STP16NK65Z(-S)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 6.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen 497-4098-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)

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