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STB15NM60ND

STB15NM60ND
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Teilenummer STB15NM60ND
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 27482 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.257

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Product parameter

Teilenummer STB15NM60ND Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 27482 pcs Datenblatt STx15NM60ND
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 7A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-8470-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 14A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)

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