IRF820
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| Teilenummer | IRF820 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.213 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IRF820 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 111970 pcs | Datenblatt | IRF820 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | PowerMESH™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 80W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-2733-5 | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
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