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IRF820LPBF

IRF820LPBF
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Teilenummer IRF820LPBF
Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 59009 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer IRF820LPBF Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 59009 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen *IRF820LPBF Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 2.5A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)

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