JAN2N6989
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| Teilenummer | JAN2N6989 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $17.64 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N6989 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 1714 pcs | Datenblatt | 2N6989(U), 2N6990 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | Transistor-Typ | 4 NPN (Quad) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-116 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/559 |
| Leistung - max | 1.5W | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | Andere Namen | 1086-2366 1086-2366-MIL |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 23 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 150mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 800mA |
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