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Teilenummer JAN1N5615US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 7350 pcs
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Teilenummer JAN1N5615US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 7350 pcs Datenblatt 1N5615US thru 1N5623US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 800mV @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V Supplier Device-Gehäuse D-5A
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/429
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 150ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A Andere Namen 1086-15221
1086-15221-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 200°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500µA @ 200V
Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F -

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