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Teilenummer JAN1N5614US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 8947 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer JAN1N5614US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 8947 pcs Datenblatt 1N5614US thru 1N5622US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V Supplier Device-Gehäuse D-5A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/427
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A Andere Namen 1086-2102
1086-2102-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 200°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500nA @ 200V
Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F -

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