APTM60H23FT1G
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| Teilenummer | APTM60H23FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.111 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM60H23FT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 2411 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTM60H23UT1G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V | Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Andere Namen | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A |
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