APTM60A11FT1G
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| Teilenummer | APTM60A11FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.336 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM60A11FT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 2484 pcs | Datenblatt | APTM60A11UT1GPower Products Catalog |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132 mOhm @ 33A, 10V | Leistung - max | 390W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Andere Namen | APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10552pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A |
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