APT11N80KC3G
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| Teilenummer | APT11N80KC3G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT11N80KC3G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5961 pcs | Datenblatt | Power Products Catalog |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 [K] | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V | Verlustleistung (max) | 156W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | APT11N80KC3GMI APT11N80KC3GMI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K] |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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