APT11N80BC3G
OMRON AUTOMATION & SAFETYBilder dienen nur als Referenz.
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT11N80BC3G mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT11N80BC3G mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
Angebot anfordern
| Teilenummer | APT11N80BC3G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.508 | $2.016 | $1.837 | $1.487 | $1.254 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT11N80BC3G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 27051 pcs | Datenblatt | Power Products Catalog |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V | Verlustleistung (max) | 156W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Andere Namen | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B] | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
- Ähnliche Produkte
- Ähnliche Neuigkeiten
Ähnliche Produkte
- Teil#:
APT11GP60BDQBG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 41A 187W TO247 - Auf Lager:
4790
- Teil#:
APT10SCD65KCT - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE SILICON 650V 17A TO220 - Auf Lager:
5192
- Teil#:
APT10SCD120B - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 - Auf Lager:
4895
- Teil#:
APT1201R4BFLLG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 - Auf Lager:
4776
- Teil#:
APT1204R7KFLLG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 - Auf Lager:
4571
- Teil#:
APT12057JLL - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 - Auf Lager:
5588
- Teil#:
APT1204R7BFLLG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 - Auf Lager:
11003
- Teil#:
APT12057LFLLG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 - Auf Lager:
2659
- Teil#:
APT10SCD120BCT - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 - Auf Lager:
4815
- Teil#:
APT10SCD65K - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE SILICON 650V 17A TO220 - Auf Lager:
6033
- Teil#:
APT12057B2LLG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX - Auf Lager:
2711
- Teil#:
APT11N80KC3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 - Auf Lager:
5961
- Teil#:
APT11GF120KRG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 25A 156W TO220 - Auf Lager:
4849
- Teil#:
APT11GF120BRDQ1G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 25A 156W TO247 - Auf Lager:
4035
- Teil#:
APT12067B2FLLG - Hersteller:
Microsemi Corporation - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX - Auf Lager:
4087
- Teil#:
APT10SCD120K - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 - Auf Lager:
14522
- Teil#:
APT12057B2FLLG - Hersteller:
Microsemi Corporation - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX - Auf Lager:
2480
- Teil#:
APT12031JFLL - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 - Auf Lager:
5491