2N3019S
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| Teilenummer | 2N3019S |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-39 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.043 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 2N3019S | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-39 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5072 pcs | Datenblatt | 2N3019S |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 (TO-205AD) | Serie | - |
| Leistung - max | 800mW | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 500mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
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