2N3019
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| Teilenummer | 2N3019 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-5 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.768 | $7.185 | $6.602 | $6.136 | $5.631 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 2N3019 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-5 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 6820 pcs | Datenblatt | 2N3019 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-5 | Serie | - |
| Leistung - max | 800mW | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Andere Namen | 2N3019MS |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 500mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
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