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1N5190

1N5190
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Teilenummer 1N5190
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 13091 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
125 pcs
$2.753

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$2.753

Product parameter

Teilenummer 1N5190 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 13091 pcs Datenblatt 1N5186-88, 1N5190
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 400ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse B, Axial Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 3A Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2µA @ 600V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F -

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