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1N5187US

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Teilenummer 1N5187US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 10845 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer 1N5187US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 10845 pcs Datenblatt 1N5186US-1N5190US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 200ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse B, Axial Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 3A Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2µA @ 200V
Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F -

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