DS1230AB-120

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| Teilenummer | DS1230AB-120 |
|---|---|
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Beschreibung | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | DS1230AB-120 | Hersteller | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 4270 pcs | Datenblatt | DS1230Y, AB |
| Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) | Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 120ns |
| Spannungsversorgung | 4.75 V ~ 5.25 V | Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse | 28-EDIP | Serie | - |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Andere Namen | DS1230AB120 | Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Speichertyp | Non-Volatile | Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | NVSRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP |
| Basisteilenummer | DS1230AB | Zugriffszeit | 120ns |
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