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DS1230AB-120+

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Teilenummer DS1230AB-120+
Hersteller Maxim Integrated
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 4422 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs25 pcs
$11.435$10.864$10.026
50 pcs100 pcs250 pcs
$9.525$8.62$8.189

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Product parameter

Teilenummer DS1230AB-120+ Hersteller Maxim Integrated
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4422 pcs Datenblatt DS1230Y, AB
Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS) Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 120ns
Spannungsversorgung 4.75 V ~ 5.25 V Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse 28-EDIP Serie -
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Speichertyp Non-Volatile
Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat NVSRAM Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP
Basisteilenummer DS1230AB Zugriffszeit 120ns

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