CSD16411Q3
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| Teilenummer | CSD16411Q3 |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.108 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | CSD16411Q3 | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 195905 pcs | Datenblatt | CSD16411Q3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Prüfung | 570pF @ 12.5V |
| Spannung - Durchschlag | 8-VSON (3.3x3.3) | VGS (th) (Max) @ Id | 10 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | NexFET™ | RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14A (Ta), 56A (Tc) | Polarisation | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks | Hersteller-Teilenummer | CSD16411Q3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.8nC @ 4.5V | IGBT-Typ | +16V, -12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3V @ 250µA | FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25V |
| Kapazitätsverhältnis | 2.7W (Ta) |
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