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CSD16570Q5BT

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Teilenummer CSD16570Q5BT
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 52421 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CSD16570Q5BT Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 52421 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Prüfung 14000pF @ 12V
Spannung - Durchschlag 8-VSON (5x6) VGS (th) (Max) @ Id 0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max) 4.5V, 10V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Serie NexFET™ RoHS Status Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100A (Ta) Polarisation 8-PowerTDFN
Andere Namen 296-38335-6 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Hersteller-Teilenummer CSD16570Q5BT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250nC @ 10V IGBT-Typ ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9V @ 250µA FET-Merkmal N-Channel
Expanded Beschreibung N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) Drain-Source-Spannung (Vdss) -
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25V
Kapazitätsverhältnis 3.2W (Ta), 195W (Tc)

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