EPC8009ENGR
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| Teilenummer | EPC8009ENGR |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC8009ENGR | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5053 pcs | Datenblatt | EPC8009 Preliminary DatasheeteGaN® FET Brief |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Prüfung | 47pF @ 32.5V |
| Spannung - Durchschlag | Die | VGS (th) (Max) @ Id | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1A (Ta) |
| Polarisation | Die | Andere Namen | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller-Teilenummer | EPC8009ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.38nC @ 5V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel | Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | Beschreibung | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V | Kapazitätsverhältnis | - |
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