EPC8009
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| Teilenummer | EPC8009 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.156 | $1.925 | $1.733 | $1.579 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $1.425 | $1.278 | $1.078 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC8009 | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 32582 pcs | Datenblatt | eGaN® FET BriefEPC8009 Datasheet |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 500mA, 5V | Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-1078-1 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 32.5V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 65V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.7A (Ta) |
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