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CDBDSC8650-G

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Teilenummer CDBDSC8650-G
Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 54696 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs80 pcs160 pcs
$1.238$1.105$0.994$0.906
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Teilenummer CDBDSC8650-G Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 54696 pcs Datenblatt CDBDSC8650-G
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650V Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 641-1932 Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Silicon Carbide Schottky detaillierte Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 650V Strom - Richt (Io) 25.5A (DC)
Kapazität @ Vr, F 550pF @ 0V, 1MHz

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