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CDBD2SC21200-G

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Teilenummer CDBD2SC21200-G
Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 74661 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CDBD2SC21200-G Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 74661 pcs Datenblatt CDBD2SC21200-G
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Andere Namen 641-1927
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Diodentyp Silicon Carbide Schottky
detaillierte Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 6.2A (DC) Surface Mount TO-263 (D2Pak) Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) 6.2A (DC) Kapazität @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz

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