FDMS8670S
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| Teilenummer | FDMS8670S |
|---|---|
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.272 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | FDMS8670S | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 82853 pcs | Datenblatt | FDMS8670S |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) | Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 10V | Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | FDMS8670STR | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 20A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 42A (Tc) |
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