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FDMS8662

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Teilenummer FDMS8662
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 4502 pcs
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Teilenummer FDMS8662 Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4502 pcs Datenblatt FDMS8662
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 28A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen FDMS8662TR Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6420pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 28A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc)

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