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US1D R3G

US1D R3G
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Teilenummer US1D R3G
Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 1132728 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1800 pcs3600 pcs5400 pcs
$0.034$0.029$0.027
12600 pcs45000 pcs90000 pcs
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Teilenummer US1D R3G Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1132728 pcs Datenblatt US1A - US1M
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA)
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50ns Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Andere Namen US1D R3GTR
US1D R3GTR-ND
US1DR3GTR
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 200V
Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz

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