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RS1GL R3G

RS1GL R3G
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Teilenummer RS1GL R3G
Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 1470728 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1800 pcs3600 pcs5400 pcs
$0.027$0.025$0.021
12600 pcs45000 pcs90000 pcs
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Teilenummer RS1GL R3G Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1470728 pcs Datenblatt RS1AL - RS1MLRS1A - RS1M
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 800mA
Spannung - Sperr (Vr) (max) 400V Supplier Device-Gehäuse Sub SMA
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 150ns Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-219AB Andere Namen RS1GL R3GTR
RS1GL R3GTR-ND
RS1GLR3GTR
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 400V
Strom - Richt (Io) 800mA Kapazität @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz

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