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HS3JB R5G

HS3JB R5G
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Teilenummer HS3JB R5G
Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 620841 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		850 pcs1700 pcs2550 pcs
$0.054$0.049$0.045
5950 pcs21250 pcs42500 pcs
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Teilenummer HS3JB R5G Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 620841 pcs Datenblatt HS3AB - HS3MB
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V Supplier Device-Gehäuse DO-214AA (SMB)
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75ns Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB Andere Namen HS3JB R5GTR
HS3JB R5GTR-ND
HS3JBR5GTR
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz

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