ES3JB M4G
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| Teilenummer | ES3JB M4G |
|---|---|
| Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.06 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | ES3JB M4G | Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 364718 pcs | Datenblatt | ES3AB - ES3JB |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V | Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB | Andere Namen | ES3JB M4G-ND ES3JBM4G |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 3A | Kapazität @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
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