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STWA70N60DM2

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Teilenummer STWA70N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 12153 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		600 pcs
$2.732

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Product parameter

Teilenummer STWA70N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 12153 pcs Datenblatt STWA70N60DM2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 33A, 10V Verlustleistung (max) 446W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5508pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)

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