STW56N60DM2
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| Teilenummer | STW56N60DM2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 50A |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.108 | $3.368 | $3.04 | $2.547 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STW56N60DM2 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 50A | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 13475 pcs | Datenblatt | STW56N60DM2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 | Serie | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V | Verlustleistung (max) | 360W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Andere Namen | 497-16341-5 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
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