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STW26NM60ND

STW26NM60ND
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Teilenummer STW26NM60ND
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 14440 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs30 pcs
$2.716$2.225

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Gesamt:
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Product parameter

Teilenummer STW26NM60ND Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A TO247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 14440 pcs Datenblatt STx26NM60ND
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Serie FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen 497-14225-5
STW26NM60ND-ND		 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1817pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.6nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)

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