STW11NB80
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| Teilenummer | STW11NB80 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.511 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STW11NB80 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 25603 pcs | Datenblatt | STW11NB80 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 | Serie | PowerMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 5.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Andere Namen | 497-2789-5 | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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