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STV200N55F3

STV200N55F3
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Teilenummer STV200N55F3
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 17825 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs
$2.804$2.504$2.053

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Teilenummer STV200N55F3 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 17825 pcs Datenblatt STV200N55F3
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 10-PowerSO Serie STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 75A, 10V Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Andere Namen 497-7028-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V detaillierte Beschreibung N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)

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