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STTH812G

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Teilenummer STTH812G
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 4873 pcs
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Teilenummer STTH812G Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4873 pcs Datenblatt STTH812
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Spitzensperr- (max) Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 8A Spannung - Durchschlag D2PAK
Serie - RoHS Status Tube
Rückwärts-Erholzeit (Trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Widerstand @ If, F -
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur - Anschluss 100ns
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer STTH812G Expanded Beschreibung Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK
Diodenkonfiguration 8µA @ 1200V Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2.2V @ 8A Strom - Richt (Io) (pro Diode) 1200V (1.2kV)
Kapazität @ Vr, F 175°C (Max)

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