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STS8DN6LF6AG

STS8DN6LF6AG
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Teilenummer STS8DN6LF6AG
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 82385 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STS8DN6LF6AG Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 82385 pcs Datenblatt STS8DN6LF6AG Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 4A, 10V Leistung - max 3.2W
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen 497-17309-6 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Ta) 3.2W Surface Mount 8-SO Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)

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