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STS3P6F6

STS3P6F6
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Teilenummer STS3P6F6
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 134482 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STS3P6F6 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 134482 pcs Datenblatt STS3P6F6
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V Verlustleistung (max) 2.7W (Tc)
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen 497-13785-6 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V detaillierte Beschreibung P-Channel 60V 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -

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