STQ2HNK60ZR-AP
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| Teilenummer | STQ2HNK60ZR-AP |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.122 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 161419 pcs | Datenblatt | STx2HNK60Z(x) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 | Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1A, 10V | Verlustleistung (max) | 3W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Box (TB) | Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | 497-12344-3 STQ2HNK60ZRAP |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 500mA (Tc) |
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