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STP9NM60N

STP9NM60N
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Teilenummer STP9NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 82566 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STP9NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 82566 pcs Datenblatt STx9NM60N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745 mOhm @ 3.25A, 10V Verlustleistung (max) 70W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-10966-5 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 452pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)

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