STP80N10F7
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| Teilenummer | STP80N10F7 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.063 | $0.857 | $0.771 | $0.60 | $0.497 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP80N10F7 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 79248 pcs | Datenblatt | STx80N10F7,STH80N10F7-2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V | Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-14834-5 STP80N10F7-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
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