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STP45N40DM2AG

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Teilenummer STP45N40DM2AG
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 38A
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 31328 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STP45N40DM2AG Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 38A Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 31328 pcs Datenblatt STP45N40DM2AG
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 19A, 10V Verlustleistung (max) 250W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-16136-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400V detaillierte Beschreibung N-Channel 400V 38A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)

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