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STP12NM60N

STP12NM60N
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Teilenummer STP12NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 45838 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
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Product parameter

Teilenummer STP12NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 45838 pcs Datenblatt STx12NM60N(-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410 mOhm @ 5A, 10V Verlustleistung (max) 90W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-7503-5
STP12NM60N-ND		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)

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