STP110N55F6
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| Teilenummer | STP110N55F6 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N CH 55V 110A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.156 | $1.044 | $0.839 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP110N55F6 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N CH 55V 110A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 43723 pcs | Datenblatt | STP110N55F6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 60A, 10V | Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-13552-5 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 55V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
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