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STP100N8F6

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Teilenummer STP100N8F6
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 92782 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STP100N8F6 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 92782 pcs Datenblatt STP100N8F6
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 176W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-15553-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5955pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
detaillierte Beschreibung N-Channel 80V 100A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)

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